Справочник MOSFET. IRLR7807ZCPBF

 

IRLR7807ZCPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLR7807ZCPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRLR7807ZCPBF

 

 

IRLR7807ZCPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  international rectifier
 irlr7807zcpbf irlu7807zcpbf.pdf

IRLR7807ZCPBF IRLR7807ZCPBF

PD - 96055IRLR7807ZCPbFIRLU7807ZCPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) max Qg (typ)Converters for Computer Processor Powerl Lead-Free30V 13.8m 7.0nCBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD-Pak I-PakIRLR7807ZCPbF IRLU7807ZCPbFAbsolute Maximum Ra

 5.1. Size:268K  international rectifier
 irlr7807zpbf irlu7807zpbf.pdf

IRLR7807ZCPBF IRLR7807ZCPBF

PD - 95777AIRLR7807ZPbFIRLU7807ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQg (typ.)Converters for Computer Processor Powerl Lead-Free30V 13.8m 7.0nCBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD-Pak I-PakIRLR7807Z IRLU7807ZAbsolute Maximum Ratings

 5.2. Size:159K  international rectifier
 irlr7807z.pdf

IRLR7807ZCPBF IRLR7807ZCPBF

PD - 94662IRLR7807ZIRLU7807ZApplicationsHEXFET Power MOSFET High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxConverters for Computer Processor Power Qg (typ.)Benefits30V 13.8m 7.0nC Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Ultra-Low Gate Impedance Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD-Pak I-PakIRLR7807Z IRLU7807ZAbsolute Maximum RatingsParameter Max. Units

 5.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irlr7807z.pdf

IRLR7807ZCPBF IRLR7807ZCPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR7807Z, IIRLR7807ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)13.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top