IRLU2705PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLU2705PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 68 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 25 nC
   Tiempo de subida (tr): 100 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLU2705PBF

IRLU2705PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:260K international rectifier
irlu2705pbf irlr2705pbf.pdf

PD - 95062AIRLR2705PbFIRLU2705PbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2705)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2705)l Advanced Process Technologyl Fast Switching RDS(on) = 0.040Gl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 28ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedp

..2. Size:260K infineon
irlr2705pbf irlu2705pbf.pdf

6.1. Size:260K inchange semiconductor
irlu2705.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU2705FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

7.1. Size:313K international rectifier
irlu2703pbf irlr2703pbf.pdf

PD- 95083AIRLR/U2703PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-Resistance DVDSS = 30Vl Surface Mount (IRLR2703)l Straight Lead (IRLU2703)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.045Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 23ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing te

7.2. Size:313K infineon
irlr2703 irlu2703.pdf

7.3. Size:261K inchange semiconductor
irlu2703.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU2703FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

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Liste

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