IRLU2905PBF Todos los transistores

 

IRLU2905PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLU2905PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IRLU2905PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  international rectifier
 irlr2905pbf irlu2905pbf.pdf pdf_icon

IRLU2905PBF

PD- 95084AIRLR/U2905PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2905)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2905)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.027l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 42Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing t

 6.1. Size:328K  international rectifier
 irlu2905zpbf irlr2905zpbf.pdf pdf_icon

IRLU2905PBF

PD - 95774BIRLR2905ZPbFIRLU2905ZPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Logic LevelD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 13.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extrem

 6.2. Size:314K  international rectifier
 irlr2905 irlu2905.pdf pdf_icon

IRLU2905PBF

PD- 95084AIRLR/U2905PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2905)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2905)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.027l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 42Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing t

 6.3. Size:340K  international rectifier
 irlr2905zpbf irlu2905zpbf.pdf pdf_icon

IRLU2905PBF

PD - 95774BIRLR2905ZPbFIRLU2905ZPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Logic LevelD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 13.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extrem

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History: NCE40H30D | NCEP045N85G | NCE25P60K | WST6045 | STH240N75F3-2 | STB25NM60N-1

 

 
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