IRLU2905PBF - описание и поиск аналогов

 

IRLU2905PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLU2905PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IRLU2905PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLU2905PBF даташит

 ..1. Size:314K  international rectifier
irlr2905pbf irlu2905pbf.pdfpdf_icon

IRLU2905PBF

PD- 95084A IRLR/U2905PbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Ultra Low On-Resistance D l Surface Mount (IRLR2905) VDSS = 55V l Straight Lead (IRLU2905) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.027 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 42A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing t

 6.1. Size:328K  international rectifier
irlu2905zpbf irlr2905zpbf.pdfpdf_icon

IRLU2905PBF

PD - 95774B IRLR2905ZPbF IRLU2905ZPbF Features HEXFET Power MOSFET Logic Level D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) = 13.5m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free ID = 42A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extrem

 6.2. Size:314K  international rectifier
irlr2905 irlu2905.pdfpdf_icon

IRLU2905PBF

PD- 95084A IRLR/U2905PbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Ultra Low On-Resistance D l Surface Mount (IRLR2905) VDSS = 55V l Straight Lead (IRLU2905) l Advanced Process Technology RDS(on) = 0.027 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 42A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing t

 6.3. Size:340K  international rectifier
irlr2905zpbf irlu2905zpbf.pdfpdf_icon

IRLU2905PBF

PD - 95774B IRLR2905ZPbF IRLU2905ZPbF Features HEXFET Power MOSFET Logic Level D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) = 13.5m Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free ID = 42A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extrem

Другие MOSFET... IRLR3103PBF , IRLR3105PBF , IRLR3110ZPBF , IRLR3114ZPBF , IRLR3303PBF , IRLR3410PBF , IRLR3636PBF , IRLR6225PBF , IRFZ44 , IRLU3105PBF , IRLU2908PBF , IRLU014N , IRLU014NPBF , IRLU014PBF , IRLU024NPBF , IRLU024PBF , IRLU024ZPBF .

History: 2SK1305 | MSD30N06 | NTTFS5116PLTAG | PNMT6N2 | IRLU7843PBF | MDV1529EURH | MXP65D7AQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.