Справочник MOSFET. IRLU2905PBF

 

IRLU2905PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLU2905PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для IRLU2905PBF

 

 

IRLU2905PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  international rectifier
 irlr2905pbf irlu2905pbf.pdf

IRLU2905PBF IRLU2905PBF

PD- 95084AIRLR/U2905PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2905)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2905)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.027l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 42Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing t

 6.1. Size:328K  international rectifier
 irlu2905zpbf irlr2905zpbf.pdf

IRLU2905PBF IRLU2905PBF

PD - 95774BIRLR2905ZPbFIRLU2905ZPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Logic LevelD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 13.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extrem

 6.2. Size:314K  infineon
 irlr2905 irlu2905.pdf

IRLU2905PBF IRLU2905PBF

PD- 95084AIRLR/U2905PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2905)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2905)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.027l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 42Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing t

 6.3. Size:340K  infineon
 irlr2905zpbf irlu2905zpbf.pdf

IRLU2905PBF IRLU2905PBF

PD - 95774BIRLR2905ZPbFIRLU2905ZPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Logic LevelD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 13.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extrem

 6.4. Size:255K  inchange semiconductor
 irlu2905z.pdf

IRLU2905PBF IRLU2905PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU2905ZFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top