IRLU2905PBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRLU2905PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRLU2905PBF
IRLU2905PBF Datasheet (PDF)
irlr2905pbf irlu2905pbf.pdf

PD- 95084AIRLR/U2905PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2905)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2905)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.027l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 42Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing t
irlu2905zpbf irlr2905zpbf.pdf

PD - 95774BIRLR2905ZPbFIRLU2905ZPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Logic LevelD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 13.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extrem
irlr2905 irlu2905.pdf

PD- 95084AIRLR/U2905PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2905)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2905)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.027l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 42Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing t
irlr2905zpbf irlu2905zpbf.pdf

PD - 95774BIRLR2905ZPbFIRLU2905ZPbFFeatures HEXFET Power MOSFET Logic LevelD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 13.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extrem
Другие MOSFET... IRLR3103PBF , IRLR3105PBF , IRLR3110ZPBF , IRLR3114ZPBF , IRLR3303PBF , IRLR3410PBF , IRLR3636PBF , IRLR6225PBF , IRF640 , IRLU3105PBF , IRLU2908PBF , IRLU014N , IRLU014NPBF , IRLU014PBF , IRLU024NPBF , IRLU024PBF , IRLU024ZPBF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement