IRLP3034PBF Todos los transistores

 

IRLP3034PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLP3034PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 341 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 108 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 827 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1980 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AC

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IRLP3034PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  international rectifier
irlp3034pbf.pdf

IRLP3034PBF
IRLP3034PBF

PD - 96230IRLP3034PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl DC Motor DriveVDSS 40Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.1.4ml Uninterruptible Power Supply max. 1.7ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 327Al Hard Switched and High Frequency CircuitsSID (Package Limited) 195ABenefitsl Optimized for Logic Level Drive D

 6.1. Size:243K  inchange semiconductor
irlp3034.pdf

IRLP3034PBF
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRLP3034IIRLP3034FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.7mEnhancement mode:Vth =1.0 to 2.5V (VDS=VGS, ID=250A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterru

 9.1. Size:149K  international rectifier
irlp3803.pdf

IRLP3034PBF
IRLP3034PBF

PD - _____IRLP3803PRELIMINARYHEXFET Power MOSFETLogic-Level Gate DriveAdvanced Process TechnologyVDSS = 30VUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.006175C Operating TemperatureFast SwitchingFully Avalanche RatedID = 120ADescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowe

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