Справочник MOSFET. IRLP3034PBF

 

IRLP3034PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLP3034PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 341 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 108 nC
   trⓘ - Время нарастания: 827 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1980 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: TO247AC

 Аналог (замена) для IRLP3034PBF

 

 

IRLP3034PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  international rectifier
 irlp3034pbf.pdf

IRLP3034PBF IRLP3034PBF

PD - 96230IRLP3034PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl DC Motor DriveVDSS 40Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.1.4ml Uninterruptible Power Supply max. 1.7ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 327Al Hard Switched and High Frequency CircuitsSID (Package Limited) 195ABenefitsl Optimized for Logic Level Drive D

 6.1. Size:243K  inchange semiconductor
 irlp3034.pdf

IRLP3034PBF IRLP3034PBF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRLP3034IIRLP3034FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.7mEnhancement mode:Vth =1.0 to 2.5V (VDS=VGS, ID=250A)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterru

 9.1. Size:149K  international rectifier
 irlp3803.pdf

IRLP3034PBF IRLP3034PBF

PD - _____IRLP3803PRELIMINARYHEXFET Power MOSFETLogic-Level Gate DriveAdvanced Process TechnologyVDSS = 30VUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.006175C Operating TemperatureFast SwitchingFully Avalanche RatedID = 120ADescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top