IRLML2803PBF Todos los transistores

 

IRLML2803PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLML2803PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23 SOT346
 

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IRLML2803PBF datasheet

 ..1. Size:252K  international rectifier
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IRLML2803PBF

IRLML2803PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l N-Channel MOSFET G 1 l SOT-23 Footprint VDSS = 30V l Low Profile (

 0.1. Size:241K  international rectifier
 irlml2803pbf-1 irlml5103pbf-1.pdf pdf_icon

IRLML2803PBF

IRLML2803PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max G 1 0.25 (@V = 10V) GS Qg (typical) 3.3 nC 3 D ID 1.2 A S 2 (@T = 25 C) A Micro3 Features Benefits Industry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally Friendlier MSL1, Industr

 5.1. Size:221K  international rectifier
 irlml2803gpbf.pdf pdf_icon

IRLML2803PBF

PD - 96164A IRLML2803GPbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l N-Channel MOSFET G 1 VDSS = 30V l SOT-23 Footprint 3 D l Low Profile (

 5.2. Size:100K  international rectifier
 irlml2803.pdf pdf_icon

IRLML2803PBF

PD - 9.1258C IRLML2803 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology D Ultra Low On-Resistance N-Channel MOSFET VDSS = 30V SOT-23 Footprint Low Profile (

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History: AGM1405F | AGM13T05A | FDC5661N-F085

 

 
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