IRLML6302PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLML6302PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.54 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.78 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: SOT23
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IRLML6302PBF datasheet
irlml6302pbf.pdf
PD - 94947B IRLML6302PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS = -20V l SOT-23 Footprint l Low Profile (
irlml6302pbf-1.pdf
IRLML6302PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS -20 V RDS(on) max 0.60 G 1 (@V = -4.5V) GS Qg (typical) 2.4 nC 3 D ID -0.78 A (@T = 25 C) A S 2 Micro3TM Features Benefits Industry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant, Halogen-Free Environmentally Friendlier MSL1, In
irlml6302gpbf.pdf
PD - 96159 IRLML6302GPbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS = -20V l SOT-23 Footprint l Low Profile (
irlml6302.pdf
PD - 9.1259D IRLML6302 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology D Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET VDSS = -20V SOT-23 Footprint Low Profile (
Otros transistores... IRLML5103PBF , IRLML5103PBF-1 , IRLML5203GPBF , IRLML5203PBF , IRLML5203PBF-1 , IRLML6244TRPBF , IRLML6246TRPBF , IRLML6302GPBF , P60NF06 , IRLML6302PBF-1 , IRLML6344TRPBF , IRLML6346TRPBF , IRLML6401GPBF , IRLML6401PBF , IRLML6401PBF-1 , IRLML6402GPBF , IRLML6402PBF .
History: MDU1402VRH
History: MDU1402VRH
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Liste
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