IRLD014PBF Todos los transistores

 

IRLD014PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLD014PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIP4
 

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IRLD014PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1789K  international rectifier
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IRLD014PBF

PD-95978IRLD014PbF Lead-Free12/20/04Document Number: 91307 www.vishay.com1IRLD014PbFDocument Number: 91307 www.vishay.com2IRLD014PbFDocument Number: 91307 www.vishay.com3IRLD014PbFDocument Number: 91307 www.vishay.com4IRLD014PbFDocument Number: 91307 www.vishay.com5IRLD014PbFDocument Number: 91307 www.vishay.com6IRLD014PbFPeak Diode Recovery

 ..2. Size:1725K  vishay
 irld014pbf sihld014.pdf pdf_icon

IRLD014PBF

IRLD014, SiHLD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

 7.1. Size:172K  international rectifier
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IRLD014PBF

 7.2. Size:1724K  vishay
 irld014 sihld014.pdf pdf_icon

IRLD014PBF

IRLD014, SiHLD014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available For Automatic InsertionRDS(on) ()VGS = 5 V 0.20RoHS* End StackableQg (Max.) (nC) 8.4 COMPLIANT Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 6.4 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single 175 C Operating Temperature

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