IRFW610B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFW610B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
IRFW610B Datasheet (PDF)
irfw610b irfi610b.pdf

November 2001IRFW610B / IRFI610B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored t
irfw610a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V2 Low RDS(ON) : 1.169 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara
Otros transistores... IRLD110PBF , IRLD120PBF , IRLF120 , IRFJ240 , IRFV064 , IRFV260 , IRFV360 , IRFV460 , IRFP460 , IRFI630B , IRFW710B , IRFI064 , IRFI1010NPBF , IRFI1310NPBF , IRFI260 , IRFI3205PBF , IRFI360 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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