IRFW610B - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFW610B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFW610B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.16 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFW610B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFW610B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:798K  fairchild semi
 irfw610b irfi610b.pdf pdf_icon

IRFW610B

November 2001IRFW610B / IRFI610B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.3A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored t

 7.1. Size:205K  1
 irfi610a irfw610a.pdf pdf_icon

IRFW610B

 7.2. Size:505K  samsung
 irfw610a.pdf pdf_icon

IRFW610B

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 3.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V2 Low RDS(ON) : 1.169 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara

 8.1. Size:209K  1
 irfi614a irfw614a.pdf pdf_icon

IRFW610B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLD110PBF , IRLD120PBF , IRLF120 , IRFJ240 , IRFV064 , IRFV260 , IRFV360 , IRFV460 , IRFP460 , IRFI630B , IRFW710B , IRFI064 , IRFI1010NPBF , IRFI1310NPBF , IRFI260 , IRFI3205PBF , IRFI360 .

History: KU048N03D | ELM14826AA | PMZB350UPE | WSD30L60DN56

 

 
Back to Top

 


 
.