IRFI530G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFI530G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de IRFI530G MOSFET
Principales características: IRFI530G
irfi530g.pdf
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irfi530g irfi530gpbf sihfi530g.pdf
IRFI530G, SiHFI530G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 100 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.16 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 33 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.4 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 15 Low T
irfi530g.pdf
iscN-Channel MOSFET Transistor IRFI530G FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) =0.16 (MAX) Enhancement mode Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI
Otros transistores... IRFI4229PBF , IRFI4321PBF , IRFI4410ZGPBF , IRFI4410ZPBF , IRFI510G , IRFI510GPBF , IRFI520G , IRFI520GPBF , 2SK3878 , IRFI530GPBF , IRFI530NPBF , IRFI540G , IRFI540GPBF , IRFI540NPBF , IRFI610B , IRFI624GPBF , IRFI710B .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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