IRFI9520GPBF Todos los transistores

 

IRFI9520GPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI9520GPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFI9520GPBF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFI9520GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1009K  international rectifier
 irfi9520gpbf.pdf pdf_icon

IRFI9520GPBF

PD- 95391IRFI9520GPbF Lead-Free06/10/04Document Number: 91162 www.vishay.com1IRFI9520GPbFDocument Number: 91162 www.vishay.com2IRFI9520GPbFDocument Number: 91162 www.vishay.com3IRFI9520GPbFDocument Number: 91162 www.vishay.com4IRFI9520GPbFDocument Number: 91162 www.vishay.com5IRFI9520GPbFDocument Number: 91162 www.vishay.com6IRFI9520GPbFDocum

 ..2. Size:1448K  vishay
 irfi9520g irfi9520gpbf sihfi9520g.pdf pdf_icon

IRFI9520GPBF

IRFI9520G, SiHFI9520GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 3.0 P-ChannelQgd (nC) 9.0 175 C Operating TemperatureConfiguration

 5.1. Size:170K  international rectifier
 irfi9520g.pdf pdf_icon

IRFI9520GPBF

 5.2. Size:1446K  vishay
 irfi9520g sihfi9520g.pdf pdf_icon

IRFI9520GPBF

IRFI9520G, SiHFI9520GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 3.0 P-ChannelQgd (nC) 9.0 175 C Operating TemperatureConfiguration

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFW740B , IRFI744GPBF , IRFI7536GPBF , IRFI820GPBF , IRFI830GPBF , IRFI840GLCPBF , IRFI840GPBF , IRFI9520G , IRLZ44N , IRFI9530GPBF , IRFI9540G , IRFI9540GPBF , IRFI9610G , IRFI9610GPBF , IRFI9620GPBF , IRFI9630GPBF , IRFI9634GPBF .

History: DM7N65C-F | IRFU4105PBF | SRT15N090HD56 | SWB090R08ET | PTP09N50

 

 
Back to Top

 


 
.