Справочник MOSFET. IRFI9520GPBF

 

IRFI9520GPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFI9520GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFI9520GPBF

 

 

IRFI9520GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1009K  international rectifier
 irfi9520gpbf.pdf

IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF

PD- 95391IRFI9520GPbF Lead-Free06/10/04Document Number: 91162 www.vishay.com1IRFI9520GPbFDocument Number: 91162 www.vishay.com2IRFI9520GPbFDocument Number: 91162 www.vishay.com3IRFI9520GPbFDocument Number: 91162 www.vishay.com4IRFI9520GPbFDocument Number: 91162 www.vishay.com5IRFI9520GPbFDocument Number: 91162 www.vishay.com6IRFI9520GPbFDocum

 ..2. Size:1448K  vishay
 irfi9520g irfi9520gpbf sihfi9520g.pdf

IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF

IRFI9520G, SiHFI9520GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 3.0 P-ChannelQgd (nC) 9.0 175 C Operating TemperatureConfiguration

 5.1. Size:170K  international rectifier
 irfi9520g.pdf

IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF

 5.2. Size:1446K  vishay
 irfi9520g sihfi9520g.pdf

IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF

IRFI9520G, SiHFI9520GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.60f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 18 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQgs (nC) 3.0 P-ChannelQgd (nC) 9.0 175 C Operating TemperatureConfiguration

 6.1. Size:103K  international rectifier
 irfi9520n.pdf

IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF

PD - 9.1527IRFI9520NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Isolated PackageVDSS = -100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.48 P-ChannelG Fully Avalanche RatedID = -5.5ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextr

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top