IRFI9530GPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFI9530GPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Encapsulados: TO220F
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IRFI9530GPBF datasheet
irfi9530gpbf.pdf
PD - 94932 IRFI9530GPbF Lead-Free 1/8/04 Document Number 91163 www.vishay.com 1 IRFI9530GPbF Document Number 91163 www.vishay.com 2 IRFI9530GPbF Document Number 91163 www.vishay.com 3 IRFI9530GPbF Document Number 91163 www.vishay.com 4 IRFI9530GPbF Document Number 91163 www.vishay.com 5 IRFI9530GPbF Document Number 91163 www.vishay.com 6 IRFI9530GPbF TO-220
irfi9530gpbf sihfi9530g.pdf
IRFI9530G, SiHFI9530G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.30 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 6.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 21 Dynamic dV/
irfi9530g sihfi9530g.pdf
IRFI9530G, SiHFI9530G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.30 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 38 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 6.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 21 Dynamic dV/
Otros transistores... IRFI744GPBF , IRFI7536GPBF , IRFI820GPBF , IRFI830GPBF , IRFI840GLCPBF , IRFI840GPBF , IRFI9520G , IRFI9520GPBF , IRF530 , IRFI9540G , IRFI9540GPBF , IRFI9610G , IRFI9610GPBF , IRFI9620GPBF , IRFI9630GPBF , IRFI9634GPBF , IRFI9640GPBF .
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