IRFI9Z14G Todos los transistores

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IRFI9Z14G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI9Z14G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 27 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 63 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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IRFI9Z14G Datasheet (PDF)

1.1. irfi9z14g-pbf.pdf Size:1580K _upd

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IRFI9Z14G, SiHFI9Z14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Isolated Package VDS (V) - 60 Available • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) (Ω)VGS = - 10 V 0.50 RoHS* COMPLIANT • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 12 • P-Channel Qgs (nC) 3.8 • 175 °C Operating Temperature Qgd (nC) 5.1 • Dynamic dV

1.2. irfi9z14gpbf.pdf Size:1829K _international_rectifier

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PD- 95975 IRFI9Z14GPbF Lead-Free 12/20/04 Document Number: 91170 www.vishay.com 1 IRFI9Z14GPbF Document Number: 91170 www.vishay.com 2 IRFI9Z14GPbF Document Number: 91170 www.vishay.com 3 IRFI9Z14GPbF Document Number: 91170 www.vishay.com 4 IRFI9Z14GPbF Document Number: 91170 www.vishay.com 5 IRFI9Z14GPbF Document Number: 91170 www.vishay.com 6 IRFI9Z14GPbF Peak Diode

 1.3. irfi9z14g.pdf Size:175K _international_rectifier

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1.4. irfi9z14g sihfi9z14g.pdf Size:1578K _vishay

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IRFI9Z14G, SiHFI9Z14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) (?)VGS = - 10 V 0.50 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 12 P-Channel Qgs (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.1 Dynamic dV/dt Rating Confi

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