IRFN140 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFN140

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm

Encapsulados: SMD1

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IRFN140 datasheet

 ..1. Size:183K  international rectifier
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IRFN140

PD - 91546C IRFN140 JANTX2N7218U JANTXV2N7218U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN140 0.077 28A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 0.1. Size:22K  semelab
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IRFN140

IRFN140SMD SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 13.9A RDS(on) 0.077 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. S

 9.1. Size:166K  international rectifier
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IRFN140

PD - 91547C IRFN150 JANTX2N7224U JANTXV2N7224U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN150 0.07 34A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.2. Size:21K  semelab
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IRFN140

IRFN130SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS VDSS 100V ID(cont) 11A RDS(on) 0.19 FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS SMD1 LIGHTWEIGHT Pad 1 Source Pad 2 Drain Pad 3 Gate SCREENING OPTIONS AV

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