IRFI9Z14GPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFI9Z14GPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFI9Z14GPBF

IRFI9Z14GPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:1829K international rectifier
irfi9z14gpbf.pdf

PD- 95975IRFI9Z14GPbF Lead-Free12/20/04Document Number: 91170 www.vishay.com1IRFI9Z14GPbFDocument Number: 91170 www.vishay.com2IRFI9Z14GPbFDocument Number: 91170 www.vishay.com3IRFI9Z14GPbFDocument Number: 91170 www.vishay.com4IRFI9Z14GPbFDocument Number: 91170 www.vishay.com5IRFI9Z14GPbFDocument Number: 91170 www.vishay.com6IRFI9Z14GPbFPeak

5.1. Size:175K international rectifier
irfi9z14g.pdf

5.2. Size:1578K vishay
irfi9z14g sihfi9z14g.pdf

IRFI9Z14G, SiHFI9Z14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 12 P-ChannelQgs (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.1 Dynamic dV

5.3. Size:1580K vishay
irfi9z14g-pbf sihfi9z14g.pdf

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Liste

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