IRFI9Z14GPBF Todos los transistores

 

IRFI9Z14GPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI9Z14GPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI9Z14GPBF datasheet

 ..1. Size:1829K  international rectifier
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IRFI9Z14GPBF

PD- 95975 IRFI9Z14GPbF Lead-Free 12/20/04 Document Number 91170 www.vishay.com 1 IRFI9Z14GPbF Document Number 91170 www.vishay.com 2 IRFI9Z14GPbF Document Number 91170 www.vishay.com 3 IRFI9Z14GPbF Document Number 91170 www.vishay.com 4 IRFI9Z14GPbF Document Number 91170 www.vishay.com 5 IRFI9Z14GPbF Document Number 91170 www.vishay.com 6 IRFI9Z14GPbF Peak

 5.1. Size:175K  international rectifier
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IRFI9Z14GPBF

 5.2. Size:1578K  vishay
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IRFI9Z14GPBF

IRFI9Z14G, SiHFI9Z14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 12 P-Channel Qgs (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.1 Dynamic dV

 5.3. Size:1580K  vishay
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IRFI9Z14GPBF

IRFI9Z14G, SiHFI9Z14G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 12 P-Channel Qgs (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.1 Dynamic dV

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