Справочник MOSFET. IRFI9Z14GPBF

 

IRFI9Z14GPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFI9Z14GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFI9Z14GPBF

 

 

IRFI9Z14GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1829K  international rectifier
irfi9z14gpbf.pdf

IRFI9Z14GPBF
IRFI9Z14GPBF

PD- 95975IRFI9Z14GPbF Lead-Free12/20/04Document Number: 91170 www.vishay.com1IRFI9Z14GPbFDocument Number: 91170 www.vishay.com2IRFI9Z14GPbFDocument Number: 91170 www.vishay.com3IRFI9Z14GPbFDocument Number: 91170 www.vishay.com4IRFI9Z14GPbFDocument Number: 91170 www.vishay.com5IRFI9Z14GPbFDocument Number: 91170 www.vishay.com6IRFI9Z14GPbFPeak

 5.1. Size:175K  international rectifier
irfi9z14g.pdf

IRFI9Z14GPBF
IRFI9Z14GPBF

 5.2. Size:1578K  vishay
irfi9z14g sihfi9z14g.pdf

IRFI9Z14GPBF
IRFI9Z14GPBF

IRFI9Z14G, SiHFI9Z14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 12 P-ChannelQgs (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.1 Dynamic dV

 5.3. Size:1580K  vishay
irfi9z14g-pbf sihfi9z14g.pdf

IRFI9Z14GPBF
IRFI9Z14GPBF

IRFI9Z14G, SiHFI9Z14GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 12 P-ChannelQgs (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.1 Dynamic dV

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top