IRFI9Z34G Todos los transistores

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IRFI9Z34G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI9Z34G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 120 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 620 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.14 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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IRFI9Z34G Datasheet (PDF)

1.1. irfi9z34g-pbf.pdf Size:1417K _upd

IRFI9Z34G
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IRFI9Z34G, SiHFI9Z34G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Isolated Package VDS (V) - 60 • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) (Ω)VGS = - 10 V 0.14 RoHS* • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 34 COMPLIANT • P-Channel Qgs (nC) 9.9 • 175 °C Operating Temperature Qgd (nC) 16 • Dynamic dV/

1.2. irfi9z34g.pdf Size:911K _international_rectifier

IRFI9Z34G
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PD - 94866 IRFI9Z34GPbF Lead-Free 12/04/03 Document Number: 91172 www.vishay.com 1 IRFI9Z34GPbF Document Number: 91172 www.vishay.com 2 IRFI9Z34GPbF Document Number: 91172 www.vishay.com 3 IRFI9Z34GPbF Document Number: 91172 www.vishay.com 4 IRFI9Z34GPbF Document Number: 91172 www.vishay.com 5 IRFI9Z34GPbF Document Number: 91172 www.vishay.com 6 IRFI9Z34GPbF TO-220 Fu

 1.3. irfi9z34g sihfi9z34g.pdf Size:1415K _vishay

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IRFI9Z34G, SiHFI9Z34G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) (?)VGS = - 10 V 0.14 RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 34 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 9.9 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 16 Dynamic dV/dt Rating Config

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