IRFIB6N60APBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFIB6N60APBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 60 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.75 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFIB6N60APBF

IRFIB6N60APBF Datasheet (PDF)

1.1. irfib6n60apbf.pdf Size:198K _upd

PD - 94838 SMPS MOSFET IRFIB6N60APbF HEXFET® Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75Ω 5.5A l High speed power switching l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS† l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness G

1.2. irfib6n60a.pdf Size:149K _international_rectifier

PD - 91813 SMPS MOSFET IRFIB6N60A HEXFET� Power MOSFET Applications VDSS Rds(on) max ID l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75W 5.5A l High speed power switching l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS� Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capac

1.3. irfib6n60a sihfib6n60a.pdf Size:139K _vishay

IRFIB6N60A, SiHFIB6N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY � Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 600 Requirement Available RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.75 � Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 49 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 13 � Fully Characterized Capacitance and Qgd (nC) 20 Avalanche Voltage and Current Configuration S

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Liste

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