Справочник MOSFET. IRFIB6N60APBF

 

IRFIB6N60APBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFIB6N60APBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFIB6N60APBF

 

 

IRFIB6N60APBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  international rectifier
 irfib6n60apbf.pdf

IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF

PD - 94838SMPS MOSFETIRFIB6N60APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75 5.5Al High speed power switchingl High Voltage Isolation = 2.5KVRMSl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt RuggednessG

 4.1. Size:149K  international rectifier
 irfib6n60a.pdf

IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF

PD - 91813SMPS MOSFET IRFIB6N60AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75W 5.5Al High speed power switchingl High Voltage Isolation = 2.5KVRMSBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized

 4.2. Size:139K  vishay
 irfib6n60a sihfib6n60a.pdf

IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF

IRFIB6N60A, SiHFIB6N60AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.75 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 49COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 13 Fully Characterized Capacitance andQgd (nC) 20Avalanche Voltage and CurrentConfi

 4.3. Size:275K  inchange semiconductor
 irfib6n60a.pdf

IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFIB6N60AFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =0.75 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3608-01L

 

 
Back to Top