IRLB3036GPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLB3036GPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 91 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLB3036GPBF

IRLB3036GPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:294K international rectifier
irlb3036gpbf.pdf

PD - 96275IRLB3036GPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl DC Motor DriveVDSS 60Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.1.9ml Uninterruptible Power Supplymax. 2.4ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 270Al Hard Switched and High Frequency CircuitsID (Package Limited)S 195ABenefitsl Optimized for Logic Level Drive

6.1. Size:284K international rectifier
irlb3036pbf.pdf

PD - 97357IRLB3036PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl DC Motor DriveVDSS 60Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.1.9ml Uninterruptible Power Supplymax. 2.4ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 270Al Hard Switched and High Frequency CircuitsID (Package Limited)S 195ABenefitsl Optimized for Logic Level Drive

6.2. Size:250K international rectifier
auirlb3036.pdf

AUTOMOTIVE GRADEAUIRLB3036HEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS 60Vl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.1.9ml Logic Level Gate Drivemax. 2.4ml Dynamic dv/dt RatingGID (Silicon Limited)l 175C Operating Temperature 270Al Fast SwitchingID (Package Limited)S 195Al Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-Free, RoHS Compli

6.3. Size:251K inchange semiconductor
irlb3036.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRLB3036 IIRLB3036FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 2.4mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMU

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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