IRFN240 Todos los transistores

 

IRFN240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFN240
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 105(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFN240 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFN240 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  international rectifier
 irfn240.pdf pdf_icon

IRFN240

PD - 91548CIRFN240JANTX2N7219UJANTXV2N7219UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596SURFACE MOUNT(SMD-1) 200V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN240 0.18 18AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 0.1. Size:23K  semelab
 irfn240smd.pdf pdf_icon

IRFN240

IRFN240SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 13.9A RDS(on) 0.180FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 9.1. Size:155K  international rectifier
 irfn250.pdf pdf_icon

IRFN240

PD - 91549CIRFN250JANTX2N7225UJANTXV2N7225UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 200V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN250 0.100 27.4AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re

 9.2. Size:605K  fairchild semi
 irfn214bta fp001.pdf pdf_icon

IRFN240

IRFN214B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.6A, 250V, RDS(on) = 2.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 8.1 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingmin

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFM460 , IRFM9140 , IRFM9240 , IRFN044 , IRFN054 , IRFN130 , IRFN140 , IRFN150 , 18N50 , IRFN250 , IRFN340 , IRFN350 , IRFN440 , IRFN450 , IRFN9130 , IRFN9130SMD , IRFN9140 .

History: IXTV22N60P | BRD3N80

 

 
Back to Top

 


 
.