IRFN250 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFN250  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SMD1

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IRFN250 datasheet

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IRFN250

PD - 91549C IRFN250 JANTX2N7225U JANTXV2N7225U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 200V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN250 0.100 27.4A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re

 0.1. Size:23K  semelab
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IRFN250

IRFN250SMD MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 200V ID(cont) 14A RDS(on) 0.100 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 8.1. Size:226K  semelab
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IRFN250

 9.1. Size:167K  international rectifier
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IRFN250

PD - 91548C IRFN240 JANTX2N7219U JANTXV2N7219U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 200V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN240 0.18 18A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

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