IRL640PBF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRL640PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRL640PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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IRL640PBF datasheet

..1. Size:941K international rectifier
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PD - 94964 IRL640PbF Lead-Free 01/30/04 Document Number 91305 www.vishay.com 1 IRL640PbF Document Number 91305 www.vishay.com 2 IRL640PbF Document Number 91305 www.vishay.com 3 IRL640PbF Document Number 91305 www.vishay.com 4 IRL640PbF Document Number 91305 www.vishay.com 5 IRL640PbF Document Number 91305 www.vishay.com 6 IRL640PbF Document Number 91305 ww

..2. Size:1708K vishay
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IRL640, SiHL640 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.18 RoHS* Logic-Level Gate Drive COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 66 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgs (nC) 9.0 Fast Switching Qgd (nC) 38 Ease of Paralleling Configuration Single Si

8.1. Size:263K international rectifier
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