IRL5NJ024 Todos los transistores

 

IRL5NJ024 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRL5NJ024
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 137 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-0.5
 

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IRL5NJ024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  international rectifier
 irl5nj024.pdf pdf_icon

IRL5NJ024

PD - 93955ALOGIC LEVEL IRL5NJ024HEXFET POWER MOSFET55V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRL5NJ024 55V 0.06 17AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromSMD-0.5International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theF

 8.1. Size:165K  international rectifier
 irl5nj7413.pdf pdf_icon

IRL5NJ024

PD - 94271BIRL5NJ7413HEXFET POWER MOSFETSURFACE MOUNT (SMD-0.5) 30V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ7413 30V 0.014 22A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromSMD-0.5International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features:

 8.2. Size:170K  international rectifier
 irl5nj7404.pdf pdf_icon

IRL5NJ024

PD-94052BLOGIC LEVEL IRL5NJ7404HEXFET POWER MOSFET 20V, P-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ7404 -20V 0.04 -11ASMD-0.5Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingFeatures:techniques to achieve the lowest possible on-resistancen Logic Level Gate Driveper silicon unit a

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History: BLF884P | IPB042N10N3G | STP90NS04ZC

 

 
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