IRL5NJ7404 Todos los transistores

 

IRL5NJ7404 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRL5NJ7404

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SMD-0.5

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IRL5NJ7404 datasheet

 ..1. Size:170K  international rectifier
 irl5nj7404.pdf pdf_icon

IRL5NJ7404

PD-94052B LOGIC LEVEL IRL5NJ7404 HEXFET POWER MOSFET 20V, P-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-0.5) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ7404 -20V 0.04 -11A SMD-0.5 Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing Features techniques to achieve the lowest possible on-resistance n Logic Level Gate Drive per silicon unit a

 6.1. Size:165K  international rectifier
 irl5nj7413.pdf pdf_icon

IRL5NJ7404

PD - 94271B IRL5NJ7413 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 30V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ7413 30V 0.014 22A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features

 8.1. Size:113K  international rectifier
 irl5nj024.pdf pdf_icon

IRL5NJ7404

PD - 93955A LOGIC LEVEL IRL5NJ024 HEXFET POWER MOSFET 55V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-0.5) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ024 55V 0.06 17A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the F

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