Справочник MOSFET. IRL5NJ7404

 

IRL5NJ7404 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRL5NJ7404
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 830 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SMD-0.5

 Аналог (замена) для IRL5NJ7404

 

 

IRL5NJ7404 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  international rectifier
 irl5nj7404.pdf

IRL5NJ7404 IRL5NJ7404

PD-94052BLOGIC LEVEL IRL5NJ7404HEXFET POWER MOSFET 20V, P-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ7404 -20V 0.04 -11ASMD-0.5Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingFeatures:techniques to achieve the lowest possible on-resistancen Logic Level Gate Driveper silicon unit a

 6.1. Size:165K  international rectifier
 irl5nj7413.pdf

IRL5NJ7404 IRL5NJ7404

PD - 94271BIRL5NJ7413HEXFET POWER MOSFETSURFACE MOUNT (SMD-0.5) 30V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ7413 30V 0.014 22A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromSMD-0.5International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features:

 8.1. Size:113K  international rectifier
 irl5nj024.pdf

IRL5NJ7404 IRL5NJ7404

PD - 93955ALOGIC LEVEL IRL5NJ024HEXFET POWER MOSFET55V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRL5NJ024 55V 0.06 17AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromSMD-0.5International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top