IRL5NJ7413 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRL5NJ7413
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-0.5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRL5NJ7413

IRL5NJ7413 Datasheet (PDF)

..1. Size:165K international rectifier
irl5nj7413.pdf

PD - 94271BIRL5NJ7413HEXFET POWER MOSFETSURFACE MOUNT (SMD-0.5) 30V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ7413 30V 0.014 22A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromSMD-0.5International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features:

6.1. Size:170K international rectifier
irl5nj7404.pdf

PD-94052BLOGIC LEVEL IRL5NJ7404HEXFET POWER MOSFET 20V, P-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ7404 -20V 0.04 -11ASMD-0.5Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processingFeatures:techniques to achieve the lowest possible on-resistancen Logic Level Gate Driveper silicon unit a

8.1. Size:113K international rectifier
irl5nj024.pdf

PD - 93955ALOGIC LEVEL IRL5NJ024HEXFET POWER MOSFET55V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRL5NJ024 55V 0.06 17AFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromSMD-0.5International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with theF

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