IRL5NJ7413 - описание и поиск аналогов

 

IRL5NJ7413. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL5NJ7413

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SMD-0.5

Аналог (замена) для IRL5NJ7413

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL5NJ7413 даташит

 ..1. Size:165K  international rectifier
 irl5nj7413.pdf pdf_icon

IRL5NJ7413

PD - 94271B IRL5NJ7413 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 30V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ7413 30V 0.014 22A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features

 6.1. Size:170K  international rectifier
 irl5nj7404.pdf pdf_icon

IRL5NJ7413

PD-94052B LOGIC LEVEL IRL5NJ7404 HEXFET POWER MOSFET 20V, P-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-0.5) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ7404 -20V 0.04 -11A SMD-0.5 Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing Features techniques to achieve the lowest possible on-resistance n Logic Level Gate Drive per silicon unit a

 8.1. Size:113K  international rectifier
 irl5nj024.pdf pdf_icon

IRL5NJ7413

PD - 93955A LOGIC LEVEL IRL5NJ024 HEXFET POWER MOSFET 55V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-0.5) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRL5NJ024 55V 0.06 17A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the F

Другие MOSFET... IRL6297SDPBF , IRL630PBF , IRL630SPBF , IRL6342PBF , IRL640PBF , IRL640SPBF , IRL5NJ024 , IRL5NJ7404 , IRF3205 , IRL5Y024CM , IRL5Y7413CM , IRL5602SPBF , IRL510PBF , IRL510S , IRL510SPBF , IRL520L , IRL520LPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.