IRFN9240 Todos los transistores

 

IRFN9240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFN9240
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 85(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFN9240 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  international rectifier
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IRFN9240

PD - 91554DIRFN9240JANTX2N7237UJANTXV2N7237UREF:MIL-PRF-19500/595POWER MOSFET 200V, P-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFN9240 0.51 -11AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheSMD-1efficient geometry design achieves very low on-s

 9.1. Size:21K  1
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IRFN9240

IRFN9130SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -9.3A RDS(on) 0.31FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 9.2. Size:21K  1
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IRFN9240

IRFN9130MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -11A RDS(on) 0.3FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE

 9.3. Size:23K  1
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IRFN9240

IRFN9140SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 14A RDS(on) 0.020FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

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History: 2N6967JANTX | IRF840A | IRF452

 

 
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