IRFN9240 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFN9240
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60(max) nC
trⓘ - Время нарастания: 85(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.51 Ohm
Тип корпуса: SMD1
IRFN9240 Datasheet (PDF)
irfn9240.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 91554DIRFN9240JANTX2N7237UJANTXV2N7237UREF:MIL-PRF-19500/595POWER MOSFET 200V, P-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFN9240 0.51 -11AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheSMD-1efficient geometry design achieves very low on-s
irfn9130smd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRFN9130SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -9.3A RDS(on) 0.31FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
irfn9130.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRFN9130MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -11A RDS(on) 0.3FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE
irfn9140smd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRFN9140SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET VDSS 100V ID(cont) 14A RDS(on) 0.020FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
irfn9140.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 91553DIRFN9140JANTX2N7236UJANTXV2N7236UREF:MIL-PRF-19500/595POWER MOSFET 100V, P-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number RDS(on) IDIRFN9140 0.20 -18AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheSMD-1efficient geometry design achieves very low on-s
irfn9130smd05.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRF9130SMD05NIRFN9130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -8A RDS(on) 0.35FEATURES HERMETICALLY SEALED
irfn9530.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRFN9530MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)PCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS VDSS -100VID(cont) -12A RDS(on) 0.3FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE
Другие MOSFET... IRFN340 , IRFN350 , IRFN440 , IRFN450 , IRFN9130 , IRFN9130SMD , IRFN9140 , IRFN9140SMD , AO3401 , IRFP044 , IRFP044N , IRFP048 , IRFP048N , IRFP054 , IRFP054N , IRFP064 , IRFP064N .
![IRFN9240](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRFN9240](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRFN9240](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100