IRHY57230CMSE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHY57230CMSE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: TO257AA

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IRHY57230CMSE datasheet

 ..1. Size:174K  international rectifier
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IRHY57230CMSE

PD - 93822B IRHY57230CMSE RADIATION HARDENED JANSR2N7489T3 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) REF MIL-PRF-19500/705 TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHY57230CMSE 100K Rads (Si) 0.23 12A JANSR2N7489T3 TO-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for spac

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IRHY57230CMSE

PD - 93827A RADIATION HARDENED IRHY57230CM POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY57230CM 100K Rads (Si) 0.21 12.5A IRHY53230CM 300K Rads (Si) 0.21 12.5A IRHY54230CM 600K Rads (Si) 0.21 12.5A IRHY58230CM 1000K Rads (Si) 0.26 12.5A TO-257AA International Rectifier s R5TM

 6.1. Size:174K  international rectifier
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IRHY57230CMSE

PD-93823C RADIATION HARDENED IRHY57234CMSE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY57234CMSE 100K Rads (Si) 0.41 9.6A TO-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space applications. These devices have been characterized Features f

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IRHY57230CMSE

PD - 94318C IRHY57133CMSE RADIATION HARDENED JANSR2N7488T3 POWER MOSFET 130V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) REF MIL-PRF-19500/705 5 5 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHY57133CMSE 100K Rads (Si) 0.09 18A* JANSR2N7488T3 T0-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for sp

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