IRHY57230CMSE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHY57230CMSE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для IRHY57230CMSE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHY57230CMSE даташит

 ..1. Size:174K  international rectifier
 irhy57230cmse.pdf pdf_icon

IRHY57230CMSE

PD - 93822B IRHY57230CMSE RADIATION HARDENED JANSR2N7489T3 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) REF MIL-PRF-19500/705 TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHY57230CMSE 100K Rads (Si) 0.23 12A JANSR2N7489T3 TO-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for spac

 3.1. Size:118K  international rectifier
 irhy57230cm.pdf pdf_icon

IRHY57230CMSE

PD - 93827A RADIATION HARDENED IRHY57230CM POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY57230CM 100K Rads (Si) 0.21 12.5A IRHY53230CM 300K Rads (Si) 0.21 12.5A IRHY54230CM 600K Rads (Si) 0.21 12.5A IRHY58230CM 1000K Rads (Si) 0.26 12.5A TO-257AA International Rectifier s R5TM

 6.1. Size:174K  international rectifier
 irhy57234cmse.pdf pdf_icon

IRHY57230CMSE

PD-93823C RADIATION HARDENED IRHY57234CMSE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY57234CMSE 100K Rads (Si) 0.41 9.6A TO-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space applications. These devices have been characterized Features f

 8.1. Size:175K  international rectifier
 irhy57133cmse.pdf pdf_icon

IRHY57230CMSE

PD - 94318C IRHY57133CMSE RADIATION HARDENED JANSR2N7488T3 POWER MOSFET 130V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) REF MIL-PRF-19500/705 5 5 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHY57133CMSE 100K Rads (Si) 0.09 18A* JANSR2N7488T3 T0-257AA International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for sp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRL3202PBF, IRL3302SPBF, IRL3303LPBF, IRL3303PBF, IRL3303SPBF, IRHY57034CM, IRHY57130CM, IRHY57133CMSE, IRF3205, IRHY57234CMSE, IRHY57Z30CM, IRHY597034CM, IRHY597130CM, IRHY597230CM, IRHY67434CM, IRHY67C30CM, IRHY7130CM