IRHY67434CM Todos los transistores

 

IRHY67434CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHY67434CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRHY67434CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  international rectifier
 irhy67434cm.pdf pdf_icon

IRHY67434CM

PD-97805IRHY67434CMRADIATION HARDENED550V, N-CHANNELPOWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67434CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63434CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4AInternational Rectifiers R6TM technology providesTO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improved immunity

 8.1. Size:198K  international rectifier
 irhy67c30cm.pdf pdf_icon

IRHY67434CM

PD-95837A2N7599T3IRHY67C30CMRADIATION HARDENED600V, N-CHANNELPOWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67C30CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63C30CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4AInternational Rectifiers R6TM technology providesTO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improve

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PHU108NQ03LT | IRF6898MPBF | NTMFD5875NLT1G | MMDF3N04HD | AOW66412 | SI2333DS | OSG65R420PF

 

 
Back to Top

 


 
.