IRHY67434CM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHY67434CM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO257AA

Аналог (замена) для IRHY67434CM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHY67434CM даташит

 ..1. Size:194K  international rectifier
 irhy67434cm.pdf pdf_icon

IRHY67434CM

PD-97805 IRHY67434CM RADIATION HARDENED 550V, N-CHANNEL POWER MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67434CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63434CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4A International Rectifier s R6TM technology provides TO-257AA superior power MOSFETs for space applications. These devices have improved immunity

 8.1. Size:198K  international rectifier
 irhy67c30cm.pdf pdf_icon

IRHY67434CM

PD-95837A 2N7599T3 IRHY67C30CM RADIATION HARDENED 600V, N-CHANNEL POWER MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67C30CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63C30CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4A International Rectifier s R6TM technology provides TO-257AA superior power MOSFETs for space applications. These devices have improve

Другие IGBT... IRHY57130CM, IRHY57133CMSE, IRHY57230CMSE, IRHY57234CMSE, IRHY57Z30CM, IRHY597034CM, IRHY597130CM, IRHY597230CM, 50N06, IRHY67C30CM, IRHY7130CM, IRHY7230CM, IRHY9130CM, IRHY9230CM, IRHYB597034CM, IRHYB597Z30CM, IRHYB67130CM