Справочник MOSFET. IRHY67434CM

 

IRHY67434CM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHY67434CM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHY67434CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  international rectifier
 irhy67434cm.pdf pdf_icon

IRHY67434CM

PD-97805IRHY67434CMRADIATION HARDENED550V, N-CHANNELPOWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67434CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63434CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4AInternational Rectifiers R6TM technology providesTO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improved immunity

 8.1. Size:198K  international rectifier
 irhy67c30cm.pdf pdf_icon

IRHY67434CM

PD-95837A2N7599T3IRHY67C30CMRADIATION HARDENED600V, N-CHANNELPOWER MOSFETTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHY67C30CM 100K Rads (Si) 3.0 3.4A IRHY63C30CM 300K Rads (Si) 3.0 3.4AInternational Rectifiers R6TM technology providesTO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.These devices have improve

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ246S

 

 
Back to Top

 


 
.