IRHYS67130CM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHYS67130CM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 343 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO257AA

 Búsqueda de reemplazo de IRHYS67130CM MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRHYS67130CM datasheet

 ..1. Size:194K  international rectifier
 irhys67130cm.pdf pdf_icon

IRHYS67130CM

PD-96986A 2N7588T3 RADIATION HARDENED IRHYS67130CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYS63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A* Low-Ohmic International Rectifier s R6TM technology provides TO-257AA superior power MOSFETs for space applications. Fe

 5.1. Size:190K  international rectifier
 irhys67134cm.pdf pdf_icon

IRHYS67130CM

PD-96930C 2N7590T3 RADIATION HARDENED IRHYS67134CM POWER MOSFET 150V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67134CM 100K Rads (Si) 0.090 19A IRHYS63134CM 300K Rads (Si) 0.090 19A Low-Ohmic TO-257AA International Rectifier s R6TM technology provides Features superior power MOSFETs for space applica

 7.1. Size:200K  international rectifier
 irhys67230cm.pdf pdf_icon

IRHYS67130CM

PD-96925C 2N7592T3 RADIATION HARDENED IRHYS67230CM POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYS63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16A Low-Ohmic International Rectifier s R6TM technology provides TO-257AA superior power MOSFETs for space applications. Featur

 7.2. Size:202K  international rectifier
 irhys67234cm.pdf pdf_icon

IRHYS67130CM

PD-97193A 2N7594T3 RADIATION HARDENED IRHYS67234CM POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67234CM 100K Rads (Si) 0.22 12A IRHYS63234CM 300K Rads (Si) 0.22 12A Low-Ohmic International Rectifier s R6TM technology provides TO-257AA superior power MOSFETs for space applications. Featur

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRHYB597034CM, IRHYB597Z30CM, IRHYB67130CM, IRHYB67134CM, IRHYB67230CM, IRHYK57133CMSE, IRHYS597034CM, IRHYS597Z30CM, IRFB4115, IRHYS67134CM, IRHYS67230CM, IRHYS67234CM, IRHN57250SE, IRHN7054, IRHN7130, IRHN7150, IRHN7230