IRHYS67230CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHYS67230CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 206 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHYS67230CM

IRHYS67230CM Datasheet (PDF)

..1. Size:200K international rectifier
irhys67230cm.pdf

PD-96925C2N7592T3RADIATION HARDENED IRHYS67230CMPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67230CM 100K Rads (Si) 0.13 16A IRHYS63230CM 300K Rads (Si) 0.13 16ALow-OhmicInternational Rectifiers R6TM technology provides TO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.Featur

5.1. Size:202K international rectifier
irhys67234cm.pdf

PD-97193A2N7594T3RADIATION HARDENED IRHYS67234CMPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67234CM 100K Rads (Si) 0.22 12A IRHYS63234CM 300K Rads (Si) 0.22 12ALow-OhmicInternational Rectifiers R6TM technology provides TO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.Featur

7.1. Size:190K international rectifier
irhys67134cm.pdf

PD-96930C2N7590T3RADIATION HARDENED IRHYS67134CMPOWER MOSFET 150V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67134CM 100K Rads (Si) 0.090 19A IRHYS63134CM 300K Rads (Si) 0.090 19ALow-OhmicTO-257AAInternational Rectifiers R6TM technology providesFeatures:superior power MOSFETs for space applica

7.2. Size:194K international rectifier
irhys67130cm.pdf

PD-96986A2N7588T3RADIATION HARDENED IRHYS67130CMPOWER MOSFET 100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHYS67130CM 100K Rads (Si) 0.042 20A* IRHYS63130CM 300K Rads (Si) 0.042 20A*Low-OhmicInternational Rectifiers R6TM technology provides TO-257AAsuperior power MOSFETs for space applications.Fe

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Liste

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