IRHN7230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHN7230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO276AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHN7230

IRHN7230 Datasheet (PDF)

..1. Size:440K international rectifier
irhn7230.pdf

PD - 90822CIRHN7230IRHN7230IRHN7230RADIATION HARDENED IRHN7230RADIATION HARDENED IRHN7230RADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENED200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNELPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TE

8.1. Size:277K international rectifier
irhn7250.pdf

PD - 90679FIRHN7250JANSR2N7269URADIATION HARDENED200V, N-CHANNELPOWER MOSFET REF:MIL-PRF-19500/603SURFACE MOUNT(SMD-1) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part NumberIRHN7250 100K Rads (Si) 0.1 26A JANSR2N7269UIRHN3250 300K Rads (Si) 0.1 26A JANSF2N7269UIRHN4250 600K Rads (Si) 0.1 26A JANSG2N7269UIRHN8250

8.2. Size:1035K international rectifier
irhm7054 irhm7150 irhm7250 irhm7450 irhn7054 irhn7150 irhn7250 irhn7450.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MIL-PRF-19500/603J shall be completed by 20 June 2013. 6 May 2013 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/603H 1 July 2011 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7268, 2N7269,

8.3. Size:124K international rectifier
irhn7250se.pdf

PD - 91780BRADIATION HARDENED IRHN7250SEPOWER MOSFET 200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHN7250SE 100K Rads (Si) 0.10 26ASMD-1International Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space applications. This technology ha

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: