IRFP054 Todos los transistores

 

IRFP054 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP054
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 160(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AC
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFP054 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:874K  international rectifier
 irfp054.pdf pdf_icon

IRFP054

PD - 95000IRFP054PbF Lead-Free02/11/04Document Number: 91200 www.vishay.com1IRFP054PbFDocument Number: 91200 www.vishay.com2IRFP054PbFDocument Number: 91200 www.vishay.com3IRFP054PbFDocument Number: 91200 www.vishay.com4IRFP054PbFDocument Number: 91200 www.vishay.com5IRFP054PbFDocument Number: 91200 www.vishay.com6IRFP054PbFTO-247AC Package O

 ..2. Size:1562K  vishay
 irfp054pbf sihfp054.pdf pdf_icon

IRFP054

IRFP054, SiHFP054Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60Available Isolated Central Mounting HoleRDS(on) ()VGS = 10 V 0.014RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 160 Fast SwitchingQgs (nC) 48 Ease of ParallelingQgd (nC) 54 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Com

 ..3. Size:212K  inchange semiconductor
 irfp054pbf.pdf pdf_icon

IRFP054

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFP054PBFFEATURESWith TO-247 packagingUninterruptible power supplyHigh speed switchingSimple drive requirements100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

 0.1. Size:216K  international rectifier
 irfp054v.pdf pdf_icon

IRFP054

PD - 94110IRFP054VHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 9.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 93A Optimized for SMPS Applications SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFN9130SMD , IRFN9140 , IRFN9140SMD , IRFN9240 , IRFP044 , IRFP044N , IRFP048 , IRFP048N , MMIS60R580P , IRFP054N , IRFP064 , IRFP064N , IRFP130 , IRFP131 , IRFP132 , IRFP133 , IRFP140 .

History: IRF633 | IRF5305L

 

 
Back to Top

 


 
.