IRFP054. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFP054

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

Аналог (замена) для IRFP054

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP054 даташит

 ..1. Size:874K  international rectifier
 irfp054.pdf pdf_icon

IRFP054

PD - 95000 IRFP054PbF Lead-Free 02/11/04 Document Number 91200 www.vishay.com 1 IRFP054PbF Document Number 91200 www.vishay.com 2 IRFP054PbF Document Number 91200 www.vishay.com 3 IRFP054PbF Document Number 91200 www.vishay.com 4 IRFP054PbF Document Number 91200 www.vishay.com 5 IRFP054PbF Document Number 91200 www.vishay.com 6 IRFP054PbF TO-247AC Package O

 ..2. Size:1562K  vishay
 irfp054pbf sihfp054.pdf pdf_icon

IRFP054

IRFP054, SiHFP054 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available Isolated Central Mounting Hole RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.014 RoHS* 175 C Operating Temperature COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 160 Fast Switching Qgs (nC) 48 Ease of Paralleling Qgd (nC) 54 Simple Drive Requirements Configuration Single Com

 ..3. Size:212K  inchange semiconductor
 irfp054pbf.pdf pdf_icon

IRFP054

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP054PBF FEATURES With TO-247 packaging Uninterruptible power supply High speed switching Simple drive requirements 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARA

 0.1. Size:216K  international rectifier
 irfp054v.pdf pdf_icon

IRFP054

PD - 94110 IRFP054V HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 9.0m G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 93A Optimized for SMPS Applications S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFN9130SMD, IRFN9140, IRFN9140SMD, IRFN9240, IRFP044, IRFP044N, IRFP048, IRFP048N, IRFZ24N, IRFP054N, IRFP064, IRFP064N, IRFP130, IRFP131, IRFP132, IRFP133, IRFP140