IRHN7C50SE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHN7C50SE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO276AB

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IRHN7C50SE datasheet

 ..1. Size:29K  international rectifier
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IRHN7C50SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1476A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHN2C50SE HEXFET TRANSISTOR IRHN7C50SE N-CHANNEL SINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARD Product Summary 600 Volt, 0.60 , (SEE) RAD HARD HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID International Rectifier s (SEE) RAD HARD technology HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE fail- IRHN2C50SE 60

 9.1. Size:277K  international rectifier
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IRHN7C50SE

PD - 90679F IRHN7250 JANSR2N7269U RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/603 SURFACE MOUNT(SMD-1) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHN7250 100K Rads (Si) 0.1 26A JANSR2N7269U IRHN3250 300K Rads (Si) 0.1 26A JANSF2N7269U IRHN4250 600K Rads (Si) 0.1 26A JANSG2N7269U IRHN8250

 9.2. Size:284K  international rectifier
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IRHN7C50SE

PD - 90720C IRHN7150 RADIATION HARDENED JANSR2N7268U POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL REF MIL-PRF-19500/603 SURFACE MOUNT (SMD-1) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHN7150 100K Rads (Si) 0.065 34A JANSR2N7268U IRHN3150 300K Rads (Si) 0.065 34A JANSF2N7268U IRHN4150 600K Rads (Si) 0.065 34A JANSG2N7268U

 9.3. Size:457K  international rectifier
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IRHN7C50SE

PD - 90821C IRHN7130 IRHN7130 IRHN7130 RADIATION HARDENED IRHN7130 RADIATION HARDENED IRHN7130 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TE

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