IRHN7C50SE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHN7C50SE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO276AB

Аналог (замена) для IRHN7C50SE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHN7C50SE даташит

 ..1. Size:29K  international rectifier
 irhn7c50se.pdf pdf_icon

IRHN7C50SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1476A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHN2C50SE HEXFET TRANSISTOR IRHN7C50SE N-CHANNEL SINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARD Product Summary 600 Volt, 0.60 , (SEE) RAD HARD HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID International Rectifier s (SEE) RAD HARD technology HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE fail- IRHN2C50SE 60

 9.1. Size:277K  international rectifier
 irhn7250.pdf pdf_icon

IRHN7C50SE

PD - 90679F IRHN7250 JANSR2N7269U RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/603 SURFACE MOUNT(SMD-1) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHN7250 100K Rads (Si) 0.1 26A JANSR2N7269U IRHN3250 300K Rads (Si) 0.1 26A JANSF2N7269U IRHN4250 600K Rads (Si) 0.1 26A JANSG2N7269U IRHN8250

 9.2. Size:284K  international rectifier
 irhn7150.pdf pdf_icon

IRHN7C50SE

PD - 90720C IRHN7150 RADIATION HARDENED JANSR2N7268U POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL REF MIL-PRF-19500/603 SURFACE MOUNT (SMD-1) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID QPL Part Number IRHN7150 100K Rads (Si) 0.065 34A JANSR2N7268U IRHN3150 300K Rads (Si) 0.065 34A JANSF2N7268U IRHN4150 600K Rads (Si) 0.065 34A JANSG2N7268U

 9.3. Size:457K  international rectifier
 irhn7130.pdf pdf_icon

IRHN7C50SE

PD - 90821C IRHN7130 IRHN7130 IRHN7130 RADIATION HARDENED IRHN7130 RADIATION HARDENED IRHN7130 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHN7054, IRHN7130, IRHN7150, IRHN7230, IRHN7250, IRHN7250SE, IRHN7450, IRHN7450SE, IRF4905, IRHN9130, IRHN9150, IRHN9230, IRHN9250, IRHM57064, IRHM57160, IRHM57260, IRHM57260SE