IRHM57260SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHM57260SE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 208 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 35 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Tiempo de elevación (tr): 125 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 885 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.049 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHM57260SE
IRHM57260SE Datasheet (PDF)
1.1. irhm57260se.pdf 
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PD - 93880C RADIATION HARDENED IRHM57260SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY 5 5 ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260SE 100K Rads (Si) 0.049Ω 35A* TO-254AA International Rectifier’s R5TM technology provides Features: high performance power MOSFETs for space n Single Event Effect (SEE) Hardened applications. T
1.2. irhm57260.pdf Size:111K _international_rectifier
PD - 91862D RADIATION HARDENED IRHM57260 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL TECHNOLOGY 4 4 THRU-HOLE (TO-254AA) # c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260 100K Rads (Si) 0.049Ω 35A* IRHM53260 300K Rads (Si) 0.049Ω 35A* IRHM54260 600K Rads (Si) 0.049Ω 35A* IRHM58260 1000K Rads (Si) 0.050Ω 35A* TO-254AA Features: International Rectifier’s R5TM
2.1. irhm57264se.pdf Size:166K _international_rectifier
PD-93798B RADIATION HARDENED IRHM57264SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY 5 5 ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57264SE 100K Rads (Si) 0.066Ω 35A* TO-254 International Rectifier’s R5TM technology provides Features: high performance power MOSFETs for space n Low RDS(on) applications. These devices have been char
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