IRHM57Z60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHM57Z60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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IRHM57Z60 datasheet

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IRHM57Z60

PD - 93786B RADIATION HARDENED IRHM57Z60 POWER MOSFET 30V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57Z60 100K Rads (Si) 0.0095 35A* IRHM53Z60 300K Rads (Si) 0.0095 35A* IRHM54Z60 600K Rads (Si) 0.0095 35A* IRHM58Z60 1000K Rads (Si) 0.010 35A* TO-254AA Features International Rectifier s R

 8.1. Size:171K  international rectifier
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IRHM57Z60

PD-93792E RADIATION HARDENED IRHM57064 POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-254AA) 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57064 100K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM53064 300K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM54064 600K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM58064 1000K Rads (Si) 0.013 35A* TO-254AA International Rectifier s R5TM technology

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IRHM57Z60

PD - 91862D RADIATION HARDENED IRHM57260 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL TECHNOLOGY 4 4 THRU-HOLE (TO-254AA) # c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260 100K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM53260 300K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM54260 600K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM58260 1000K Rads (Si) 0.050 35A* TO-254AA Features International Rectifier s R5TM

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IRHM57Z60

PD - 93880C RADIATION HARDENED IRHM57260SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A* TO-254AA International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space n Single Event Effect (SEE) Hardened applications. T

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