Справочник MOSFET. IRHM57Z60

 

IRHM57Z60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRHM57Z60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA

 Аналог (замена) для IRHM57Z60

 

 

IRHM57Z60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  international rectifier
 irhm57z60.pdf

IRHM57Z60 IRHM57Z60

PD - 93786BRADIATION HARDENED IRHM57Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57Z60 100K Rads (Si) 0.0095 35A* IRHM53Z60 300K Rads (Si) 0.0095 35A* IRHM54Z60 600K Rads (Si) 0.0095 35A* IRHM58Z60 1000K Rads (Si) 0.010 35A* TO-254AAFeatures:International Rectifiers R

 8.1. Size:171K  international rectifier
 irhm57064.pdf

IRHM57Z60 IRHM57Z60

PD-93792ERADIATION HARDENED IRHM57064POWER MOSFET60V, N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57064 100K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM53064 300K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM54064 600K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM58064 1000K Rads (Si) 0.013 35A*TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology

 8.2. Size:111K  international rectifier
 irhm57260.pdf

IRHM57Z60 IRHM57Z60

PD - 91862DRADIATION HARDENED IRHM57260POWER MOSFET 200V, N-CHANNELTECHNOLOGY44THRU-HOLE (TO-254AA) #cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260 100K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM53260 300K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM54260 600K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM58260 1000K Rads (Si) 0.050 35A*TO-254AAFeatures:International Rectifiers R5TM

 8.3. Size:181K  international rectifier
 irhm57260se.pdf

IRHM57Z60 IRHM57Z60

PD - 93880CRADIATION HARDENED IRHM57260SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A* TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardenedapplications. T

 8.4. Size:166K  international rectifier
 irhm57264se.pdf

IRHM57Z60 IRHM57Z60

PD-93798BRADIATION HARDENED IRHM57264SEPOWER MOSFET250V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57264SE 100K Rads (Si) 0.066 35A* TO-254International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Low RDS(on)applications. These devices have been char

 8.5. Size:158K  international rectifier
 irhm57160.pdf

IRHM57Z60 IRHM57Z60

PD-93784GRADIATION HARDENED IRHM57160POWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57160 100K Rads (Si) 0.018 35A* IRHM53160 300K Rads (Si) 0.018 35A* IRHM54160 600K Rads (Si) 0.018 35A* IRHM58160 1000K Rads (Si) 0.019 35A*TO-254AAFeatures:International Rectifiers R5T

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top