IRHM57Z60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRHM57Z60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4230 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRHM57Z60 Datasheet (PDF)
irhm57z60.pdf

PD - 93786BRADIATION HARDENED IRHM57Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57Z60 100K Rads (Si) 0.0095 35A* IRHM53Z60 300K Rads (Si) 0.0095 35A* IRHM54Z60 600K Rads (Si) 0.0095 35A* IRHM58Z60 1000K Rads (Si) 0.010 35A* TO-254AAFeatures:International Rectifiers R
irhm57064.pdf

PD-93792ERADIATION HARDENED IRHM57064POWER MOSFET60V, N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57064 100K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM53064 300K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM54064 600K Rads (Si) 0.012 35A* IRHM58064 1000K Rads (Si) 0.013 35A*TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology
irhm57260.pdf

PD - 91862DRADIATION HARDENED IRHM57260POWER MOSFET 200V, N-CHANNELTECHNOLOGY44THRU-HOLE (TO-254AA) #cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260 100K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM53260 300K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM54260 600K Rads (Si) 0.049 35A* IRHM58260 1000K Rads (Si) 0.050 35A*TO-254AAFeatures:International Rectifiers R5TM
irhm57260se.pdf

PD - 93880CRADIATION HARDENED IRHM57260SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A* TO-254AAInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardenedapplications. T
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRF241 | NCE70T180D
History: IRF241 | NCE70T180D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet