IRHM7Z60 Todos los transistores

 

IRHM7Z60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHM7Z60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 104 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 370 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

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IRHM7Z60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  international rectifier
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IRHM7Z60

PD - 91701BRADIATION HARDENEDIRHM7Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM7Z60 100K Rads (Si) 0.014 35*A IRHM3Z60 300K Rads (Si) 0.014 35*A IRHM4Z60 600K Rads (Si) 0.014 35*A IRHM8Z60 1000K Rads (Si) 0.014 35*ATO-254AAInternational Rectifiers RAD-Hard HEX

 9.1. Size:295K  international rectifier
 irhm7360.pdf pdf_icon

IRHM7Z60

PD - 90823AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHM7360HEXFET TRANSISTOR IRHM8360N CHANNELMEGA RAD HARDProduct Summary400Volt, 0.22, MEGA RAD HARD HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDInternational Rectifiers RAD HARD technologyHEXFETs demonstrate excellent threshold voltageIRHM7360 400V 0.22 22Astability and breakdown voltage stability at tota

 9.2. Size:138K  international rectifier
 irhm7450se.pdf pdf_icon

IRHM7Z60

PD - 91223DRADIATION HARDENED IRHM7450SEPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHM7450SE 100K Rads (Si) 0.51 12ATO-254AAInternational Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space applications. This technology

 9.3. Size:265K  international rectifier
 irhm7260.pdf pdf_icon

IRHM7Z60

PD - 91332DIRHM7260IRHM7260IRHM7260IRHM7260IRHM7260 JANSR2N7433JANSR2N7433 JANSR2N7433 JANSR2N7433JANSR2N7433RADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENED200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNELPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETREF: MIL-PR

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History: BUZ100SL-4 | 2SK1631

 

 
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