IRHM7Z60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHM7Z60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 104 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 370 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для IRHM7Z60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHM7Z60 даташит

 ..1. Size:119K  international rectifier
 irhm7z60.pdf pdf_icon

IRHM7Z60

PD - 91701B RADIATION HARDENED IRHM7Z60 POWER MOSFET 30V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM7Z60 100K Rads (Si) 0.014 35*A IRHM3Z60 300K Rads (Si) 0.014 35*A IRHM4Z60 600K Rads (Si) 0.014 35*A IRHM8Z60 1000K Rads (Si) 0.014 35*A TO-254AA International Rectifier s RAD-Hard HEX

 9.1. Size:295K  international rectifier
 irhm7360.pdf pdf_icon

IRHM7Z60

PD - 90823A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHM7360 HEXFET TRANSISTOR IRHM8360 N CHANNEL MEGA RAD HARD Product Summary 400Volt, 0.22 , MEGA RAD HARD HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID International Rectifier s RAD HARD technology HEXFETs demonstrate excellent threshold voltage IRHM7360 400V 0.22 22A stability and breakdown voltage stability at tota

 9.2. Size:138K  international rectifier
 irhm7450se.pdf pdf_icon

IRHM7Z60

PD - 91223D RADIATION HARDENED IRHM7450SE POWER MOSFET 500V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-254AA) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHM7450SE 100K Rads (Si) 0.51 12A TO-254AA International Rectifier s RADHardTM HEXFET MOSFET technology provides high performance power MOSFETs Features for space applications. This technology

 9.3. Size:265K  international rectifier
 irhm7260.pdf pdf_icon

IRHM7Z60

PD - 91332D IRHM7260 IRHM7260 IRHM7260 IRHM7260 IRHM7260 JANSR2N7433 JANSR2N7433 JANSR2N7433 JANSR2N7433 JANSR2N7433 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL 200V, N-CHANNEL POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET POWER MOSFET REF MIL-PR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHM7250, IRHM7260, IRHM7264SE, IRHM7360, IRHM7360SE, IRHM7450, IRHM7450SE, IRHM7460SE, 4N60, IRHM9064, IRHM9130, IRHM9150, IRHM9160, IRHM9230, IRHM9250, IRHM9260, IRHMB57064