Справочник MOSFET. IRHM7Z60

 

IRHM7Z60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHM7Z60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 104 nC
   trⓘ - Время нарастания: 370 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHM7Z60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  international rectifier
irhm7z60.pdfpdf_icon

IRHM7Z60

PD - 91701BRADIATION HARDENEDIRHM7Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHM7Z60 100K Rads (Si) 0.014 35*A IRHM3Z60 300K Rads (Si) 0.014 35*A IRHM4Z60 600K Rads (Si) 0.014 35*A IRHM8Z60 1000K Rads (Si) 0.014 35*ATO-254AAInternational Rectifiers RAD-Hard HEX

 9.1. Size:295K  international rectifier
irhm7360.pdfpdf_icon

IRHM7Z60

PD - 90823AREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHM7360HEXFET TRANSISTOR IRHM8360N CHANNELMEGA RAD HARDProduct Summary400Volt, 0.22, MEGA RAD HARD HEXFETPart Number BVDSS RDS(on) IDInternational Rectifiers RAD HARD technologyHEXFETs demonstrate excellent threshold voltageIRHM7360 400V 0.22 22Astability and breakdown voltage stability at tota

 9.2. Size:138K  international rectifier
irhm7450se.pdfpdf_icon

IRHM7Z60

PD - 91223DRADIATION HARDENED IRHM7450SEPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-254AA) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHM7450SE 100K Rads (Si) 0.51 12ATO-254AAInternational Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space applications. This technology

 9.3. Size:265K  international rectifier
irhm7260.pdfpdf_icon

IRHM7Z60

PD - 91332DIRHM7260IRHM7260IRHM7260IRHM7260IRHM7260 JANSR2N7433JANSR2N7433 JANSR2N7433 JANSR2N7433JANSR2N7433RADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENEDRADIATION HARDENED200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNEL200V, N-CHANNELPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETPOWER MOSFETREF: MIL-PR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: GSM3400AS | AFC4599 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | NP52N06SLG | IRF3415LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.