IRHMJ57160 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHMJ57160
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1583 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHMJ57160
IRHMJ57160 Datasheet (PDF)
irhmj57160.pdf
PD-96916RADIATION HARDENED IRHMJ57160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57160 100K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ53160 300K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ54160 600K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ58160 1000K Rads (Si) 0.019 35A*TO-254AA TablessInternational Recti
irhmj57260se.pdf
PD-96913RADIATION HARDENED IRHMJ57260SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A*TO-254AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardene
irhmj7250.pdf
PD-96914 IRHMJ7250RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNELPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ7250 100K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ3250 300K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ4250 600K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ8250 1000K Rads (Si) 0.10 26ATO-254AA TablessInternational Rectifier
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Liste
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