IRHMJ57160 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHMJ57160

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1583 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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IRHMJ57160 datasheet

 ..1. Size:160K  international rectifier
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IRHMJ57160

PD-96916 RADIATION HARDENED IRHMJ57160 POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57160 100K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ53160 300K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ54160 600K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ58160 1000K Rads (Si) 0.019 35A* TO-254AA Tabless International Recti

 7.1. Size:168K  international rectifier
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IRHMJ57160

PD-96913 RADIATION HARDENED IRHMJ57260SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A* TO-254AA Tabless International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space n Single Event Effect (SEE) Hardene

 9.1. Size:330K  international rectifier
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IRHMJ57160

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